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题目
下列存储器中,在工作期间需要刷新的是( )。
错因
A
把 SRAM(Static RAM)当 DRAM 一类。SRAM 的存储单元是双稳态触发器(6 管 SRAM cell)——只要供电,状态就稳定保持,不靠电容存电荷。所以完全不需要刷新。混淆点常常来自首字母都是 S,但这里 S = Static(静态)≠ SDRAM 的 S(Synchronous,同步)。
C
ROM = Read Only Memory,只读存储器。ROM 的位元存储靠的是物理结构(熔丝、浮栅、掩模线路等),不依赖电荷,断电都不丢失,更谈不上"工作期间需要刷新"。把 ROM 选进来是没区分"易失/非易失"和"动态/静态"两个独立维度。
D
FLASH 是 ROM 的近代继承者(NAND/NOR Flash),靠浮栅晶体管保存电荷——但这种电荷被绝缘层包围、不需要靠电容定期再充电,所以也不需要刷新。Flash 有"擦写寿命"问题(块擦除次数有限),但那是数据保留问题,不是"工作期间刷新"。
总解析
核心区分:是否需要刷新,看的是位元靠什么机制保持状态。
| 存储器 | 位元机制 | 易失性 | 是否需刷新 |
|---|---|---|---|
| SRAM | 6 管双稳态触发器 | 易失 | ❌ 不需要 |
| DRAM / SDRAM / DDR… | 1 管 1 电容(电容会漏电) | 易失 | ✅ 需要(典型每 64 ms 一轮) |
| ROM / PROM / EPROM | 物理结构(熔丝/掩模) | 非易失 | ❌ 不需要 |
| FLASH | 浮栅晶体管(绝缘层包围) | 非易失 | ❌ 不需要 |
为什么 DRAM 系列需要刷新:每个位元只用 1 个电容存电荷。电容上的电荷会通过 PN 结漏电流慢慢流走(典型保持时间约几十毫秒),不及时补充电荷就丢失数据。所以 DRAM 控制器要周期性地"读出 → 重写"每一行,这就是刷新(refresh)。
SDRAM = Synchronous DRAM——本质是 DRAM,加了"同步时钟接口"以方便流水线访问。S 是 Synchronous(同步),不是 Static(静态)。所以 SDRAM 仍然属于 DRAM 大类,仍需刷新。
最终答案是 B(SDRAM)。
速记口诀:
- 名字里有 DRAM 的(DRAM、SDRAM、DDR、DDR2/3/4/5、LPDDR)→ 都要刷新
- 名字里是 SRAM 的 → 双稳态,不刷新
- ROM 系(ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH)→ 非易失,不刷新
易错陷阱:SDRAM 的 S 是 Synchronous(同步),别和 SRAM 的 S(Static)混了。